【台南訊】2015成大研發論壇「看見成大、卓越領航」系列講座，第12場次將於12月11日(五)下午1:10～3:00於自強校區電機系一樓繁城講堂舉 行，張院士演講主題為「New Horizon of FinFETs with Internal Gate and Negative Capacitance」，將與聽眾分享其豐富、先進的專業知識，歡迎全校教職員工及學生踴躍參加。

張俊彥院士在半導體元件、半導體物理及VLSI技術，微電子電路、微波及光電三大科學領域學術貢獻卓越，包括：一、發明使用 Triethylgallium 低壓金屬化學沉積系統（LP-MOCVD）來製作發光二極體、雷射二極體及各種微波元件。二、在超大型積體電路領域中，乃是首位針對二氧化矽材料做鋅摻雜（1968）、氮化處理（1984）及氟摻雜（1984）之早期深入研究。三、首創半-氧-半Semiconductor-Oxide-Semiconductor（SOS）電荷傳輸機制（1968）。四、建立金屬－半導體接面能障之載子傳輸模型。

張院士自1963年起指導學生，並於1964年與張瑞夫、郭雙發共同建立台灣首座半導體研究中心，培養台灣眾多電子資訊產業人才。張院士個人1964年研發矽電晶體開始就屢屢領導台灣電子、半導體研究的發展， 1966年起投入研究積體電路、砷化鎵（1970年）、非晶矽（1978年）；他為行政院國科會（現科技部）建立的國家毫微米元件實驗室，為該領域世界級的實驗室。

張院士曾擔任交大電子研究所教授、電子物理系主任、成功大學電機系主任、美國貝爾實驗室VLSI Group高級研究員，交大工學院院長、電機資訊學院院長、電子與資訊研究中心及校長等職務。此外，張院士也是政府科技政策智囊，曾擔任行政院科技顧問及總統府國策顧問。

張俊彥院士1960年於成功大學獲得電機學士學位，又分別於1962年與1970年獲得交通大學碩士與博士學位；張院士也是中華民國教育史上第一位本土工學博士，現為教育部終身國家講座教授與交通大學終身講座教授。