【台南訊】國立成功大學微奈米科技研究中心成立全國第一個「石墨烯暨二維材料元件中心」，致力打造全國最頂尖的石墨烯暨二維材料與奈米元件研究群，17日上午在科技大樓隆重舉行揭幕典禮，前校長翁政義教授及蘇慧貞副校長親自主持並給予高度肯定，未來該中心將結合微奈米科技研究中心強大的軟硬體資源與豐富的製程分析經驗，可望提供全國學術界及產業界於石墨烯/二維材料及奈米元件之最佳解決方案。

成大前校長翁政義教授肯定微奈米科技中心的成果，他用一個小故事指出一個人如果有好的成就，還需要有掌聲，因此他今天特地到場給予掌聲。翁政義教授期待，「石墨烯暨二維材料元件中心」的資源和研究能分享出去，創造更卓越的研發成果。

成大蘇慧貞副校長指出，微奈米中心在陳顯禎主任帶領下，跳脫一般中心只能提供機器設備的框架，致力於研發與產業的深度結合，研究表現相當亮眼，處處展現開發資源與調度資源、以及未達目的絕不終止的企圖心和毅力，而今天「石墨烯暨二維材料元件中心」的成立，可說是帶給成大榮耀的成績，相信微奈米中心也會繼續成長。

據了解，微奈米科技研究中心擁有四大核心技術，包含奈米微影製程、奈米表面分析與磊晶、奈米材料分析、生醫暨非破壞分析等，而研究上目前聚焦於前瞻奈米二維材料開發與奈米元件製作應用，故成立「石墨烯暨二維材料元件中心」，並由鄧熙聖講座教授擔任主任一職。

鄧熙聖講座教授指出，Graphene（石墨烯）這個單字源自於「石墨（graphite）」，泛指單原子層的石墨。超過一個世紀以前人類就已發現天然石墨塊為無數層相疊的石墨烯所組成，就像厚厚一疊「紙」組成一本「書」。雖然已經被研究許多年，但單原子層石墨烯能穩定存在於自然界的事實卻遲至2004年才被英國曼徹斯特大學的研究團隊發現。

石墨烯特有的性質被預期在未來有廣泛的應用潛力，尤其是近幾年大放異彩的穿戴式設備、可撓式螢幕、軟性透明電子元件、太陽能電池、鋰電池、超級電容等，石墨烯均可能讓各類裝置更加輕薄、速度更快、價格更便宜、續航力更持久。

而由材料科學史之經驗可得知，一項有潛力的新材料從發現到廣泛應用需歷經15至20年的基礎研發時程，2004年石墨烯被發現，現正處於元件應用的關鍵時刻，正是切入的最佳時間點。因此世界各科技先進國家在近幾年陸續成立石墨烯與二維材料專門研究中心，無一不投入大量資源以取得競爭優勢。
該中心目前正發展大面積石墨烯與二維材料製作技術，並合成具優異光學性能的石墨烯量子點，以生產最高品質的石墨烯與二維材料為目標。搭配奈米元件製程技術，積極發展石墨烯/二維材料之前瞻應用，包括能源、生醫與半導體，將研發能量最大化與在地化，以尖端研究成果提昇國內產業發展。

微奈米科技研究中心之奈米微影與製程團隊，由鍾崇仁博士領導，與美國哥倫比亞大學光學奈米結構實驗室的謝秉鈞博士及英國倫敦大學Thomas Young Centre合作，於Nature Physics共同發表論文－Photon transport enhanced by transverse Anderson localization in disordered superlattices，該論文之技術準確設計與製造的光子晶體，控制次波長的光的傳遞行為，實現了凝態物理中著名的transverse Anderson localization理論，並且在晶片等級的元件中，製造超過4000個散射子，達成在非有序的超晶格中控制光聚集的成果。

Nature Physics是Nature Publishing Group所出版的最具權威之物理期刊，此期刊著重於物理學的基礎與應用研究，包含量子力學、凝態物理、光學、熱力學、高能物理學及生物物理學等；本次發表光子晶體的製程由本校微奈米科技研究中心進行，使用電子束微影技術配合感應耦合電漿蝕刻技術，在SOI晶圓上精準的實現理論所規劃的各種非有序的圖形，維持數萬個圖形的一致性以及非有序散射子的圖案邊緣對比度，將製程誤差因素降至最低，使得理論模擬得以完美的實現。1031017c

補充資料：
成大微奈米科技研究中心是全國規模最大、影響力最廣、服務與研究績效最好之微奈米中心，每年服務超過一萬人次全國師生、超過五十間廠商、數百件產業檢測報告。目前有儀器設備62部（總值約4.5億台幣），集中於本校儀器設備大樓B1之165坪奈米微影與製程無塵室及125坪之奈米檢測與分析實驗室，由24位專業碩士級工程師與博士級研究員負責管理與維護，所有儀器e化管理並24小時開放。

微奈米科技研究中心長期致力於開發奈米級的圖案製造術，在光阻的選擇、電子束的校正與劑量調控、電子散射影響控制及晶片級圖案的接合上深入耕耘；目前，奈米微影與製程團隊有2位博士級研究員及4位碩士級工程師，提供奈米製程整合與服務，數年來提供奈米製程教學與研發，更導入電子散射校正，可使得密集圖案與分散圖案的製程結果忠於原始設計，達成關鍵尺寸1x奈米節點、圖案接合誤差< 20奈米、3D灰階微影等技術指標，搭配電漿蝕刻製程，在矽基材料上可達成深寬比1:30之奈米尺度孔洞，提供產學研界前瞻奈米製程所需。