【台南訊】在光電半導體和發光二極體研究極有成就方的電機系特聘教授張守進，榮獲2014美國電子電機工程師協會會士IEEE Fellow( Institute of Electrical andElectronics Engineers)榮譽，表彰他在奈米領域光子、電子和發光二極體等相關的研究貢獻；去年張守進教授同時獲選2013年度美國光學學會會士OSA Fellow，以及國際光學工程學會會士SPIE Fellow，今年又獲選為IEEE Fellow，殊榮難得，實屬不易。

對於這項殊榮，張守進特聘教授將榮耀歸給成大同仁，他感謝許多同仁對他的支持，和研究上的協助，獲獎絕不是個人榮譽，而是大家共同努力的成果。

張守進特聘教授是成大電機系畢業，加州大學洛杉磯分校電機博士，主要研究領域是各種光電半導體元件，如發光二極體、雷射二極體、光檢測器、太陽能電池等製作、材料成長、量測與特性改善。對於獲選2014 IEEE Fellow殊榮，張守進教授欣喜之餘，也表示將會在光電奈米的領域中繼續努力，造福更多的國內產業，他說「喜歡就不會覺得辛苦，就能夠堅持下去」，對於研究途中面對的種種艱難，對他來說都是快樂的挑戰。

張守進特聘教授早期提出以氧化銦錫 ITO來取代傳統之鎳/金導電電極 ("Highly reliable nitride based LEDs with SPS+ITO upper contacts", IEEE J. Quan. Electron., Vol. 39, pp. 1439-1443, 2003)，藉由ITO之透明又導電的特性，可大幅提升氮化鎵系列發光二極體亮度達35-40%。近期提出缺陷選擇性蝕刻法("Nitride-based LEDs with phosphoric acid etched undercut sidewalls", IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 21, pp. 510-512, 2009)，則更進一步提升氮化鎵系列發光二極體之輸出功率。目前這些方法均已被廣泛採用為氮化鎵系列發光二極體之標準製程，對於協助台灣成為世界第二大的發光二極體產業國之發展有極大的貢獻。

在過去的二十多年間，張守進特聘教授在相關領域已發表超過600篇SCI學術論文，總引用次數超過5000次，由Web of Science論文資料庫網站可知，張守進教授在過去所發表的論文之中，有6篇論文被引用超過100次，其h-index為39(有39篇論文被引用次數超過39次)，在台灣近10年發表與高亮度發光二極體材料氮化鎵相關論文引用次數最高的前10篇論文中，有4篇是張守進教授研究團隊的成果，更有2篇論文於2012年08月獲湯森路透Essential Science Indicators (ESI)選為高引用論文。另外，在工程領域另一個重要論文檢索資料庫Engineering Village (EI)網站中，在氮化鎵以及發光二極體兩個研究領域中，張守進教授論文發表篇數均位居世界第9。

榮獲國際電子電機工程學會院士是一件非常不容易的事，IEEE為全世界最重要且最大之電機電子工程學會，IEEE Fellow是IEEE總會頒給在此領域有重要貢獻之學者，遴選人數為每千人會員不超過一人。在IEEE期刊發表論文之多寡及有多少人被選為IEEE Fellow，常是在電機、電子資訊領域中評量學術水準之重要指標之一。