【影音】成大半導體學院晶體研究中心啟動 突破 SiC 技術創新半導體與雷射產業優勢
台灣半導體材料技術再突破，國立成功大學「晶體研究中心」今（2025）年正式啟動，（26）日上午在成大南科台達大樓舉行開幕典禮。成大晶體研究中心是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構。未來該中心將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動 SiC 與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升台灣在全球市場的競爭力。
維護單位:
新聞中心
更新日期:
2025.02.27
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