台積電五位主管親至成大徵才
【台南訊】因應台積電南科廠擴廠,求才若渴,台灣積體電路公司預定至各校舉辦徵才會,20日先至國立成功大學材料系舉辦,接受現場投遞履歷,並立即面談,由於成大材料系所培育的材料人才都是上上之選,台積電求才無上限!
成大「台積電台南廠區專屬徵才會」於20日下午1時至3時在材料系館前工學院大道上舉辦,由五位重要主管親自為學生解說及面談。短短三小時的徵才活動,估計有二十多名成大材料人現場投遞履歷,九位學生接受面試,渴望成為台積人。
徵才活動不僅吸引材料系碩、博士班學生前往參與,不少大學部學生也藉此機會進一步瞭解企業對人才的需求與未來的趨勢。學生們都認為,台積電是半導體領域相關科系學生心目中前二名的企業,藉由此活動,在還沒就業之前可以先瞭解企業需要的人才及條件,對於其未來在專業能力學習與加強,提供一個正確的方向。
台積電主管表示,成大是企業最愛的人才之一,過去所接觸的員工,只要是成大的學生都有很好的表現,成大學生具備團隊合作的精神,能夠挑戰自我,也較具抗壓性,符合台積電需要人才的特質。尤其,成大與台積電南科廠地緣近、學生對南部的認同感大,是台積電選才鎖定的主要對象之一。
因應台積電持續擴廠,需要大量專業人才,此次率先至成大材料系徵才,除了讓學生更瞭解企業的未來發展及經營理念,再者,台積電目前一些技術需要從材料的觀點出發來解決,因此特別先到成大材料系徵才,期藉由說明會,吸引更多一流人才,加入一流的台積。
成大材料系廖主任俊德表示,台積電鎖定成大材料系的主要原因,在於他們未來即將投入量產28nm技術點的強化的高介電值金屬閘極(HK/MG)技術,是從基礎的材料科學為出發點所做的重大改變。放眼國內目前只有成大材料系在此一方面的有開授相關的課程,因此台積電特別屬意成大材料系學生,由主管級親自進入校園搶人才。
廖俊德主任也說,成大材料系在2010年台灣ESI(基本科學指標)論文數排名為亞洲第18名,躍居國內材料科學及工程學系之冠。不僅研究成果居全國領先地位,在教學上更強調理論結合實務,讓學生學有專精,成為頂尖的人才,長期以來深獲企業青睬,台積電專屬徵才列車來到成大材料系,除了是對材料系教育的肯定,對於材料系學生來說是一種激勵。而此次徵才說明會是雙方合作的最佳起點,未來也有意願透過合開課程,或邀請台積電人員至成大授課等方式,加強雙方的合作與交流。
除了徵才說明會之外,下午3時10分至5時由台積電針對碩博士班進行專題演講,講題為「奈米科技於積體電路之發展與台積電公司之未來展望」。演講中表示,隨著積體電路的電路積集密度不斷地以倍數增加 (Moore’s Law),積體電路的製造技術也從微米(um)世代演進到目前的奈米世代(nm)。在技術演進的過程中,不僅是電路設計裡的線寬需要不斷地被縮小,所使用的材料也必須相對應的改變以符合輕、薄、短、小、低耗能、高功率的元件需求。從低介電常數材料(low-k)與銅金屬(Cu)的導入並分別取代傳統的二氧化矽(SiO2)與鋁金導線(Al),及相因應而產生的大馬士革鑲嵌導線技術 (Damascene Process)的產生,以降低元件的訊號速度在後段製程(BEOL)中所造成電阻-電容延遲效應(RC delay),到目前45nm技術點導入應變矽鍺磊晶(strained SiGe)、超低介電材料/低電阻銅導線等技術,及未來即將投入量產的28nm技術點的強化的高介電值金屬閘極(HK/MG)技術,無一不是從基礎的材料科學為出發點所做的重大改變。材料的選擇與特性研究,對半導體技術的進步,著實有重大的貢獻。
展望未來,台積電2010年資本支出達48億美元,比2009年的27億美元大幅增加,不只是在產能、技術建置上,台積電投資人才也不手軟,研發投資支出與過5年比較呈現倍增情況,2009年全公司人數為2萬人,預計2010年底要增加到2.9萬人。期待志同道合的成大材料所學生能一起加入台積電這個大家庭。990520y
成大「台積電台南廠區專屬徵才會」於20日下午1時至3時在材料系館前工學院大道上舉辦,由五位重要主管親自為學生解說及面談。短短三小時的徵才活動,估計有二十多名成大材料人現場投遞履歷,九位學生接受面試,渴望成為台積人。
徵才活動不僅吸引材料系碩、博士班學生前往參與,不少大學部學生也藉此機會進一步瞭解企業對人才的需求與未來的趨勢。學生們都認為,台積電是半導體領域相關科系學生心目中前二名的企業,藉由此活動,在還沒就業之前可以先瞭解企業需要的人才及條件,對於其未來在專業能力學習與加強,提供一個正確的方向。
台積電主管表示,成大是企業最愛的人才之一,過去所接觸的員工,只要是成大的學生都有很好的表現,成大學生具備團隊合作的精神,能夠挑戰自我,也較具抗壓性,符合台積電需要人才的特質。尤其,成大與台積電南科廠地緣近、學生對南部的認同感大,是台積電選才鎖定的主要對象之一。
因應台積電持續擴廠,需要大量專業人才,此次率先至成大材料系徵才,除了讓學生更瞭解企業的未來發展及經營理念,再者,台積電目前一些技術需要從材料的觀點出發來解決,因此特別先到成大材料系徵才,期藉由說明會,吸引更多一流人才,加入一流的台積。
成大材料系廖主任俊德表示,台積電鎖定成大材料系的主要原因,在於他們未來即將投入量產28nm技術點的強化的高介電值金屬閘極(HK/MG)技術,是從基礎的材料科學為出發點所做的重大改變。放眼國內目前只有成大材料系在此一方面的有開授相關的課程,因此台積電特別屬意成大材料系學生,由主管級親自進入校園搶人才。
廖俊德主任也說,成大材料系在2010年台灣ESI(基本科學指標)論文數排名為亞洲第18名,躍居國內材料科學及工程學系之冠。不僅研究成果居全國領先地位,在教學上更強調理論結合實務,讓學生學有專精,成為頂尖的人才,長期以來深獲企業青睬,台積電專屬徵才列車來到成大材料系,除了是對材料系教育的肯定,對於材料系學生來說是一種激勵。而此次徵才說明會是雙方合作的最佳起點,未來也有意願透過合開課程,或邀請台積電人員至成大授課等方式,加強雙方的合作與交流。
除了徵才說明會之外,下午3時10分至5時由台積電針對碩博士班進行專題演講,講題為「奈米科技於積體電路之發展與台積電公司之未來展望」。演講中表示,隨著積體電路的電路積集密度不斷地以倍數增加 (Moore’s Law),積體電路的製造技術也從微米(um)世代演進到目前的奈米世代(nm)。在技術演進的過程中,不僅是電路設計裡的線寬需要不斷地被縮小,所使用的材料也必須相對應的改變以符合輕、薄、短、小、低耗能、高功率的元件需求。從低介電常數材料(low-k)與銅金屬(Cu)的導入並分別取代傳統的二氧化矽(SiO2)與鋁金導線(Al),及相因應而產生的大馬士革鑲嵌導線技術 (Damascene Process)的產生,以降低元件的訊號速度在後段製程(BEOL)中所造成電阻-電容延遲效應(RC delay),到目前45nm技術點導入應變矽鍺磊晶(strained SiGe)、超低介電材料/低電阻銅導線等技術,及未來即將投入量產的28nm技術點的強化的高介電值金屬閘極(HK/MG)技術,無一不是從基礎的材料科學為出發點所做的重大改變。材料的選擇與特性研究,對半導體技術的進步,著實有重大的貢獻。
展望未來,台積電2010年資本支出達48億美元,比2009年的27億美元大幅增加,不只是在產能、技術建置上,台積電投資人才也不手軟,研發投資支出與過5年比較呈現倍增情況,2009年全公司人數為2萬人,預計2010年底要增加到2.9萬人。期待志同道合的成大材料所學生能一起加入台積電這個大家庭。990520y
瀏覽數:
分享
